[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910120155.1 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110299359A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 崔秉夏;益冈有里;李栗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；栅极结构，与有源图案交叉；源极/漏极图案，在栅极结构一侧处位于有源图案上；接触插塞，位于源极/漏极图案上；以及导电图案，位于源极/漏极图案与接触插塞之间，其中，源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层，其中，阻挡层包括氧原子。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 半导体装置 源图案 图案 导电图案 接触插塞 栅极结构 阻挡层 氧原子 基底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；栅极结构，与有源图案交叉；源极/漏极图案，在栅极结构的一侧处位于有源图案上；接触插塞，位于源极/漏极图案上；以及导电图案，位于源极/漏极图案与接触插塞之间，其中，源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层，并且其中，阻挡层包括氧原子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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