[发明专利]一种中红外波段调制器及其制备方法

摘要

本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于平板区的脊形转变为P型InSb结构(3)，同时，使得在N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成中性区I区(4)；步骤4：对脊形一侧的平板区进行光刻腐蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：制备钝化保护层(5)；步骤6：制备N电极(6)和P电极(7)。本公开还提供了一种中红外波段调制器。

主权项

1.一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：将SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)进行真空键合；步骤2：减薄所述N型InSb衬底(20)，并对减薄后的所述N型InSb衬底(20)进行光刻以腐蚀出脊形N型InSb结构(2)，其中，所述脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将所述平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于所述平板区的脊形转变为所述P型InSb结构(3)，同时，使得在所述N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成有中性区I区(4)；步骤4：对所述脊形一侧的平板区进行刻蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：在所述SOI衬底顶层硅(1)、N型InSb结构(2)、P型InSb结构(3)和中性区I区(4)的表面形成钝化保护层(5)，或者在所述SOI衬底顶层硅(1)、N型InSb结构(2)和P型InSb结构(3)的表面形成钝化保护层(5)；步骤6：分别在所述N型InSb结构(2)和P型InSb结构(3)上制备N电极(6)和P电极(7)。