[发明专利]晶圆的清洗方法有效
| 申请号： | 201910121968.2 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111584340B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰;金懿;刘洪涛;邵群;蒋莉;林先军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性；对所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相斥的原理，经过调节后所述残留物与所述晶圆表面电性相同，因此所述残留物不会粘附在所述晶圆的表面，而是悬浮在晶圆表面的液膜内。在后续的干燥过程中，悬浮在液膜内的残留物会随着液膜一起被去除，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
