[发明专利]半导体成像器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201910122237.X 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN110556389B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 高桥诚司;王铨中;杨敦年;洪丰基;许峰嘉;刘人诚;施俊吉;张浚威;徐伟诚;吴尉壮;黄益民 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 在一些实施例中,提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中,其中,第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中,其中,基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
搜索关键词: 半导体 成像 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种像素传感器,包括:/n第一光电探测器,设置在半导体衬底中;/n第二光电探测器,设置在所述半导体衬底中,其中,所述第一基本直线轴与所述第一光电探测器的中心点和所述第二光电探测器的中心点相交;/n浮置扩散节点,设置在所述半导体衬底中的与所述第一光电探测器和所述第二光电探测器的基本等距离的点处;/n拾取阱接触区域,设置在所述半导体衬底中,其中,基本垂直于所述第一基本直线轴的第二基本直线轴与所述浮置扩散节点的中心点和所述拾取阱接触区域的中心点相交。/n
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