[发明专利]用以测试记忆体的装置在审
| 申请号： | 201910122584.2 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110619921A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 吕士濂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种用以测试记忆体的装置，此记忆体包含第一记忆体电路及第二记忆体电路。第二记忆体电路是配置以储存第一记忆体电路的第一应对。此装置包含比较电路及计算电路。比较电路是配置以比较储存在第二记忆体电路的第一应对及第一记忆体电路在不同的条件下操作的多个应对，以产生多个第一比较结果。计算电路是配置以根据第一比较结果输出最大汉明距离，其中最大汉明距离是在第一应对及第一记忆体电路的多个应对的其中二者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体电路 大汉明距离 计算电路 配置 储存 测试记忆 记忆体 输出 | ||
【主权项】：
1.一种装置，用以测试一记忆体，其特征在于，该记忆体包含一第一记忆体电路及一第二记忆体电路，该第二记忆体电路是配置以储存该第一记忆体电路的一第一应对，该装置包含：/n一比较电路，配置以比较储存在该第二记忆体电路的该第一应对与该第一记忆体电路在不同的条件下操作的多个应对，以产生多个第一比较结果；以及/n一计算电路，配置以根据所述多个第一比较结果输出一最大汉明距离，其中该最大汉明距离是在该第一应对及该第一记忆体电路的所述多个应对的其中二者之间。/n
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