[发明专利]等离激元增强的硅基光热电效应光电转换器及其制作方法

摘要

本发明涉及光电转换技术，具体涉及等离激元增强的硅基光热电效应光电转换器及其制作方法，包括硅纳米结构、等离激元共振金属纳米结构、电极和衬底；硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1~300纳米，等离激元共振金属纳米结构的参数根据其所需共振波长、偏振、手性特性确定，等离激元共振金属纳米结构与硅纳米结构结合形成复合结构；电极与硅纳米结构接触，硅纳米结构设置于衬底之上。该转换器能有效利用传统光电转换机制无法利用的热化载流子的能量，提高光电转换效率，通过在硅基纳米结构上集成等离激元增强结构提高硅纳米结构中的光吸收。利用表面等离激元共振对偏振、波长和手性的敏感性还可以为硅基光电转换器带来相应的多维度响应调控能力。

主权项

1.一种等离激元增强的硅基光热电效应光电转换器，包括硅纳米结构、等离激元共振金属纳米结构、电极和衬底；其特征是，硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1纳米～3百纳米，等离激元共振金属纳米结构的参数根据其所需共振波长、偏振、手性特性确定，等离激元共振金属纳米结构与硅纳米结构结合形成复合结构；电极与硅纳米结构接触，硅纳米结构设置于衬底之上。