[发明专利]能量储存器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910123095.9 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN110085424B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 帕维尔·伊万·拉扎列夫 | 申请（专利权）人： | 柯帕瑟特科学有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/14 | 分类号： | H01G4/14;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;冷永华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了能量储存器件及其制造方法，其一般性地涉及电气工程和电子学领域。更详细地说，本发明涉及电子电路的无源器件，更特别地说，涉及能量储存器件及其生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 储存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种能量储存器件，包括：第一电极；第二电极；和固态多层结构，其配置在所述第一电极和第二电极之间，其中所述电极是平坦的并且平面的，并且布置为相互平行，以及其中所述固态多层结构包括m个绝缘层和导电层，所述层被配置为与所述电极平行，以及所述层具有以下的序列：A‑B‑(A‑B‑…A‑B‑)A，其中，A是包括绝缘介电材料的均质的绝缘层，所述绝缘介电材料包括至少一种一般结构式I的改性有机化合物：{Cor}(M)n, (I)其中，Cor是具有共轭的π‑体系的多环有机化合物，M是改性官能团；n是所述改性官能团的个数，其中n大于等于1；B是均质的导电层，并且m大于等于3。
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