[发明专利]一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置及方法在审
| 申请号： | 201910123613.7 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109825882A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张岩;赵然;董伟;付吉国;周卫东;曾蕾 | 申请（专利权）人： | 国宏中晶集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36;G01N21/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置，包括保温罩、上加热板、中加热板和下加热板，保温罩内侧底部安置有固定台，且固定台下方搭架上安置有下加热板，固定台上方安装有坩埚托，坩埚托上方安置有坩埚，坩埚顶部安置有籽晶槽，籽晶槽两侧边缘的托架卡在第二凹槽内，籽晶槽外侧安置有中加热板，且中加热板上方有上加热板。退火方法利用上中下三个加热板来保证退火过程中温场的均衡，并且，上加热板和中加热板均设置为左右分离式结构，上/中加热板俯视均呈“()”的两部分，上加热板中间大孔用于引晶装置的放入。 | ||
| 搜索关键词： | 加热板 上加热板 籽晶槽 安置 碳化硅电阻 退火装置 下加热板 保温罩 晶体的 坩埚托 坩埚 退火 左右分离式 两侧边缘 退火过程 引晶装置 固定台 生长 搭架 大孔 放入 托架 中温 俯视 均衡 保证 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置，包括保温罩(1)、上加热板(2)、中加热板(3)、碳化硅晶体(4)、籽晶槽(5)、坩埚(6)、坩埚托(7)、下加热板(8)、固定台(9)、凸块(10)、第一凹槽(11)、托架(12)和第二凹槽(13)，其特征在于：所述保温罩(1)内侧底部安置有固定台(9)，且固定台(9)下方搭架上安置有下加热板(8)，所述固定台(9)上方安装有坩埚托(7)，且坩埚托(7)内部底面上设置有第一凹槽(11)，所述第一凹槽(11)内卡有坩埚(6)底部的凸块(10)，所述坩埚托(7)上方安置有坩埚(6)，所述坩埚(6)顶部安置有籽晶槽(5)，且坩埚(6)顶部两侧边缘设置有第二凹槽(13)，所述籽晶槽(5)两侧边缘的托架(12)卡在第二凹槽(13)内，所述籽晶槽(5)内安放有碳化硅晶体(4)，所述籽晶槽(5)外侧安置有中加热板(3)，且中加热板(3)上方安置有上加热板(2)；所述上加热板(2)和中加热板(3)均设置为左右分离式结构，且上加热板(2)俯视呈“()”形的两个扇形；上加热板(2)俯视呈“()”形的两个圆台外壳形。
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