[发明专利]具有击穿电压钳位的LDMOS晶体管在审
| 申请号： | 201910123704.0 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110176488A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | V·帕塔萨拉蒂;V·帕拉;M·A·祖尼加 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，该PRSF层包括一个或多个桥接部分。该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。另一LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；n型减小表面场(NRSF)层，在横向方向上布置在该源极n+区与该漏极n+区之间；PRSF层，在与该横向方向正交的厚度方向上布置在该NRSF层下方；以及p型埋层(PBL)，在该厚度方向上布置在该PRSF层下方。该漏极n+区在该厚度方向上布置在该PBL之上。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 源极 横向方向 击穿电压 表面场 减小 钳位 桥接 横向双扩散金属氧化物半导体 正交的 晶体管 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，该LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，包括一个或多个桥接部分，该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。
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