[发明专利]一种纳米材料的制备方法在审
申请号: | 201910123904.6 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109680257A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 杜娟;康乐;罗英涛;陈开斌 | 申请(专利权)人: | 中国铝业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/26;C23C14/02;C23C14/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人: | 李子健 |
地址: | 100082 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米材料的制备方法,以一种材料作为基底材料,在所述基底材料表面形成均匀或不均匀的微观坑洞结构,再在所述基底材料表面生长碳纳米管,与基底相接触的碳纳米管的根部埋入基底材料表面的坑洞中。本发明中使用微观多坑洞结构基底,生长出的碳纳米管的根部会埋入基底材料表面的坑洞中,和在光滑的基底材料表面上生长的碳纳米管容易自动脱落或刮落的情况相比,本发明技术中的碳纳米管根部被多孔的坑洞结构牢牢固定住,从而使碳纳米管不易从基底材料表面脱落或被刮落,大大提高碳纳米管和基底材料之间的结合力。 | ||
搜索关键词: | 基底材料表面 碳纳米管 坑洞结构 基底材料 纳米材料 刮落 基底 坑洞 埋入 制备 微观 生长碳纳米 自动脱落 不均匀 结合力 生长 光滑 | ||
【主权项】:
1.一种纳米材料的制备方法,其特征在于,以一种材料作为基底材料,在所述基底材料表面形成均匀或不均匀的微观坑洞结构,再在具有微观坑洞结构的所述基底材料表面生长碳纳米管,与基底相接触的碳纳米管的根部埋入基底材料表面的坑洞中,所述坑洞表面形状是圆形、椭圆形、方形、三角形或不规则形状,坑洞内形状是圆球型、立方体型、圆柱型、圆锥型或不规则立体形状,坑洞之间相互连通或者相互不连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的