[发明专利]纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于树状大分子/金纳米粒/二硫化钼纳米复合物的免标记适体电化学γ‑干扰素传感器的制备方法。滴涂该复合物于电极表面制备改性电极，γ‑干扰素适体链终端巯基通过Au‑S键与金纳米粒连接，制得复合物‑适体的改性电极。当γ‑干扰素存在时，γ‑干扰素与传感器上适体链特异性结合，导致适体发卡结构被打开伸展，可有效吸附电解液中的亚甲基蓝MB，引起MB氧化还原信号显著增强。拟合MB氧化峰电流强度与γ‑干扰素浓度间的线性关系，构建免标记适体电化学γ‑干扰素传感器。与现有技术相比，本发明方法操作简单、成本低廉、灵敏度高、选择性好，可发展成为一种新颖的免标记适体电化学传感器，用于生物样品中γ‑干扰素的高灵敏和高选择性检测。

主权项

1.纳米复合物及其免标记适体电化学γ‑干扰素传感器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(1)将二硫化钼(MoS₂)粉末加入乙醇和蒸馏水的混合溶剂中，在水浴中超声处理，然后离心分离，去除沉淀物，制得MoS₂均质分散液备用；(2)配制氯金酸水溶液，加入聚乙二胺树状大分子(PAMAM)水溶液中，磁力搅拌混合均匀，滴加硼氢化钠水溶液，制备金纳米粒负载的树状大分子(PAMAM/AuNPs)，通过透析处理，除去残留反应物；(3)向MoS₂分散液中滴加PAMAM/AuNPs分散液，先水浴超声处理，再磁力搅拌处理，反应制得PAMAM/AuNPs/MoS₂纳米复合物；(4)在抛光打磨处理的裸玻碳电极表面滴加交联剂Nafion，滴涂纳米复合物分散液，制得PAMAM/AuNPs/MoS₂改性的电极；γ‑干扰素核酸适体用缓冲液稀释，加热至一定温度后冷却至室温，适体形成二级发卡结构，适体链巯基终端通过Au‑S键连接至AuNPs表面；(5)在浸没了PAMAM/AuNPs/MoS₂‑适体改性电极的电解液中，加入氧化还原探针亚甲基蓝MB，随着靶分子γ‑干扰素加入量的增大，MB的电化学信号峰逐渐增强，拟合MB氧化峰电流强度与γ‑干扰素浓度之间的线性关系，构建用于γ‑干扰素检测的免标记适体电化学传感器。