[发明专利]剥离方法在审
| 申请号： | 201910125779.2 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110197794A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 铃木克彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供剥离方法，能够容易地将基板等从支承板剥离。该剥离方法将隔着剥离层而设置于支承板的正面上的基板从支承板剥离，其中，该剥离方法包含如下的工序：第1保持工序，利用第1保持单元对支承板和基板中的一方进行保持；起点区域形成工序，对在支承板和基板的端部露出的剥离层的端部吹送流体而形成作为将基板从支承板剥离时的起点的起点区域；第2保持工序，利用第2保持单元对支承板和基板中的另一方进行保持；以及剥离工序，使第1保持单元和第2保持单元向相互远离的方向相对地移动而将基板从支承板剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 支承板 基板 剥离 起点区域 剥离层 剥离工序 方向相对 形成工序 吹送 流体 移动 | ||
【主权项】：
1.一种剥离方法，将隔着剥离层而设置于支承板的正面上的基板从该支承板剥离，其特征在于，该剥离方法包含如下的工序：第1保持工序，利用第1保持单元对该支承板和该基板中的一方进行保持；起点区域形成工序，对在该支承板和该基板的端部露出的该剥离层的端部吹送流体而形成作为将该基板从该支承板剥离时的起点的起点区域；第2保持工序，利用第2保持单元对该支承板和该基板中的另一方进行保持；以及剥离工序，使该第1保持单元和该第2保持单元向相互远离的方向相对地移动而将该基板从该支承板剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910125779.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
