[发明专利]基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件有效
| 申请号： | 201910125883.1 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109755383B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;郭晨阳;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁子阀 磁子结 磁电 自旋 霍尔 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁子磁电阻(Magnon Magnetoresistance，MMR)器件，包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体材料或反铁磁金属材料形成。
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