[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910125919.6 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111599860B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 许祥华;黄良安;钟昇镇;郭镇铵;李秋德;王智充;陈广修;林克峰;李彦辉;胡凯婷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。第一掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽。第二掺杂线是在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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