[发明专利]用于离子束蚀刻的等离子体桥中和器在审
| 申请号： | 201910126400.X | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110176381A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | R·叶夫图霍夫;I·切伦科夫;B·德鲁兹;A·海耶斯;R·希罗尼米 | 申请（专利权）人： | 维易科仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 离子束中和系统，通常称为等离子体桥中和器(PBN)，作为离子束(蚀刻)系统的一部分。该系统采用改进的灯丝热电子发射器PBN设计，当其在特定的操作方法中使用时，极大地延长灯丝寿命并最小化长时间工作期间中和器工作参数的变化。PBN包括在PBN内产生轴向磁场的螺线管电磁体和促进磁场对齐并抑制杂散场的聚磁器。PBN可以容易地提供至少500小时的灯丝寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 等离子体桥中和器 蚀刻 灯丝寿命 热电子发射器 工作参数 工作期间 中和系统 轴向磁场 对齐 电磁体 螺线管 杂散场 中和器 最小化 磁器 灯丝 磁场 改进 | ||
【主权项】：
1.一种宽离子束系统，包括：离子束发生器，所述离子束发生器用于提供具有不大于300eV的电压的低能量离子束；以及用于产生具有小于3eV的电压的低能量电子的等离子体桥中和器，即PBN，所述PBN包括：等离子体发生腔室，所述等离子体发生腔室可操作地连接到腔室电源，所述等离子体发生腔室具有由壁结构和具有居中的腔室释放孔的底板结构限定的内部空间，所述居中的腔室释放孔用于从所述PBN腔室提取所述电子；惰性气体源，所述惰性气体源可操作地连接到所述内部空间；热发射阴极灯丝，所述热发射阴极灯丝在所述内部空间内并且可操作地连接到灯丝电源；磁场发生器，所述磁场发生器被配置为在所述腔室内产生与所述PBN的轴平行并且可选地与所述灯丝平行的磁场；以及聚磁器，所述聚磁器围绕所述腔室并且具有与所述腔室释放孔对齐的孔，所述聚磁器抑制所述磁场离开所述PBN。
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