[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910126403.3 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110660854A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林志昌;吴伟豪;余佳霓;苏焕杰;徐廷鋐;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包括在半导体元件上方形成遮罩层，其中半导体元件包含：栅极结构；第一层，设置于栅极结构上方；以及层间介电质，设置于第一层的侧壁上，且其中遮罩层定义开口暴露出第一层的一部分和层间介电质的一部分；进行第一蚀刻工艺，以通过开口蚀刻第一层的一部分和层间介电质的一部分；在进行第一蚀刻工艺之后，在开口中形成一衬垫层；在形成衬垫层之后，进行第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻工艺使开口向下延伸而穿过第一层和穿过栅极结构；以及在进行第二蚀刻工艺之后，以第二层填充开口。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻工艺 第一层 层间介电 栅极结构 半导体元件 开口 衬垫层 遮罩层 穿过 蚀刻 半导体装置 开口向下 填充开口 侧壁 暴露 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n在一半导体元件上方形成一遮罩层，其中该半导体元件包含：/n一栅极结构；/n一第一层，设置于该栅极结构上方；以及/n一层间介电质，设置于该第一层的侧壁上，且其中该遮罩层定义一开口暴露出该第一层的一部分和该层间介电质的一部分；/n进行一第一蚀刻工艺，以通过该开口蚀刻该第一层的一部分和该层间介电质的一部分；/n在进行该第一蚀刻工艺之后，在该开口中形成一衬垫层；/n在形成该衬垫层之后，进行一第二蚀刻工艺，其中该第二蚀刻工艺使该开口向下延伸而穿过该第一层和穿过该栅极结构；以及/n在进行该第二蚀刻工艺之后，以一第二层填充该开口。/n
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