[发明专利]一种氧化物陶瓷薄膜二次修饰致密化的方法有效
| 申请号： | 201910126728.1 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109867521B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 韩敏芳;王桂芸;朱腾龙 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01M8/126 | 分类号： | H01M8/126;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物陶瓷薄膜二次修饰致密化的方法。在不完全致密的氧化物陶瓷基体上，通过第二相溶液处理，利用毛细作用填隙，引入低温助烧剂，对未完全致密的氧化物陶瓷薄膜进行孔隙界面修饰，再进行二次烧结实现薄膜致密化，来提高性能。这种方法制备的致密氧化铈基陶瓷薄膜，应用于固体氧化物燃料电池中，用作稳定氧化锆基电解质与多孔阴极之间的隔离层，阻断电解质材料与阴极材料之间高温反应。这种方法制备的致密氧化锆基陶瓷薄膜，应用于固体氧化物燃料电池电解质，来优化电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 陶瓷 薄膜 二次 修饰 致密 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物陶瓷薄膜二次修饰致密化的方法，所述方法如下：针对氧化物陶瓷薄膜完全致密化的难点，首先在优化的烧结温度下尽量获得较致密薄膜(例如致密度90％左右)，通过第二相溶液处理，利用毛细作用填隙，引入低温助烧剂，对未完全致密的氧化物陶瓷薄膜进行孔隙界面修饰，再经过二次烧结实现薄膜致密化。
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