[发明专利]一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法在审
| 申请号： | 201910127057.0 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109991285A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁士明;王常春;马登学;袁真;刘增欣;杨瑞宁;李因文;赵晓林;王浩任;宋新飞 | 申请（专利权）人： | 梁士明 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;C01G1/02 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 李宏伟 |
| 地址： | 276005 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，该方法包括以下具体步骤：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中，然后用研磨机研磨并搅拌，然后清洗并烘干至表面无残留物。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测，适用于环境或工业安全等领域的监测，完全可以满足这方面低浓度气体检测的精度要求，适合推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物半导体材料 低浓度气体 气敏性能 半导体材料 超声波分散 气体传感器 贵金属 工业安全 精度要求 酒精溶液 研磨 量子点 研磨机 检测 烘干 滴加 可用 粒径 催化剂 清洗 监测 制作 | ||
【主权项】：
1.一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：将金属氧化物半导体加入去离子水后，球磨造粒制成金属氧化物半导体材料；步骤2：将溶剂乙二醇EG回流后加入聚乙烯吡咯烷酮PVP，并搅拌至完全溶解，再滴加贵金属盐类并搅拌反应至溶液颜色改变；用丙酮和去离子水洗涤，真空干燥，即得到贵金属量子点；步骤3：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中，然后用研磨机研磨并搅拌；步骤4：将步骤3中得到的金属氧化物半导体材料在倒入有清洗液的清洗槽中清洗20～30min，清洗过后的金属氧化物半导体材料进行烘干处理至其表面无残留物。
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