[发明专利]一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910127577.1 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109799205B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志军;郭世兴;何德 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/35 | 分类号： | G01N21/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 苗艳荣 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器及其制备方法，所述的红外分子指纹传感器包括双层膜平面结构传感器和单层膜平面结构传感器，所述的双层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的铜(Cu)和硒化锌(ZnSe)两层膜构成；所述的单层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的金膜而构成。该传感器基于薄膜光腔共振和界面场增强原理，由平面多层金属和介质膜组成，无需图形化加工工艺，具有加工简单、成本低、成品率高、有效探测面积大和单分子层探测灵敏度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 薄膜 结构 红外 分子 指纹 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器，其特征在于，所述的红外分子指纹传感器包括双层膜平面结构传感器和单层膜平面结构传感器，所述的双层膜平面结构传感器由硅衬底上的铜和硒化锌两层膜构成；所述的单层膜平面结构传感器由硅衬底上的金膜而构成。
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