[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910128015.9 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110911401B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 东和幸;香西昌平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/528;H01L23/48;H01J37/147 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式关于半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具有多个第1导电层；第2多层布线层，设置在第1多层布线层与第2半导体层之间，具有多个第2导电层；第1晶体管，具有第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第2孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第1电极，设置在第1多层布线层中；及第2电极，设置在第1多层布线层中，夹着第1孔而与第1电极对置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
