[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910128639.0 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110197799B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 上野隆二;砂本昌利 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供半导体制造装置，其在半导体晶片的被镀面使用无电解镀法形成膜厚的均匀性优异的镀膜。半导体制造装置在保持于能够对多个晶片进行保持的载体的各晶片所具有的被镀面形成镀膜，该半导体制造装置具有：整流机构，其包含设置有多个通孔的整流板，整流板与各晶片的被镀面相面对地保持于载体；浸渍槽，其储存用于形成镀膜的药液，对整流机构和多个晶片进行保持的载体浸渍于药液；以及驱动装置，其在将各晶片与多个通孔的相对位置关系保持为恒定的状态下，使浸渍于浸渍槽的载体摆动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，其在保持于能够对多个晶片进行保持的载体的各所述晶片所具有的被镀面形成镀膜，该半导体制造装置具有：整流机构，其包含设置有多个通孔的整流板，所述整流板与各所述晶片的所述被镀面相面对地保持于所述载体；浸渍槽，其储存用于形成所述镀膜的药液，对所述多个晶片和所述整流机构进行保持的所述载体浸渍于所述药液；以及驱动装置，其在将各所述晶片与所述多个通孔的相对位置关系保持为恒定的状态下，使浸渍于所述浸渍槽的所述载体摆动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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