[发明专利]一种钽溅射靶材、制备方法和磁控溅射方法在审
| 申请号： | 201910128676.1 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109706431A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;刘瑞 | 申请（专利权）人： | 苏州鑫沣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽溅射靶材、制备方法和磁控溅射方法，所述钽溅射靶材的平均晶粒直径大于等于20mm，按质量百分比计，纯度大于等于99.995%。本发明实施例的钽溅射靶材具有较大尺寸的晶粒，降低了杂质含量，提高了钽溅射靶材的纯度。而且，大尺寸的晶粒使在制备钽溅射靶材时可减少锻造、轧制、热处理等压延加工工序，减少了工艺步骤，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 钽溅射靶 制备 晶粒 磁控溅射 压延 质量百分比 工艺步骤 加工工序 平均晶粒 热处理 轧制 生产成本 锻造 | ||
【主权项】：
1.一种钽溅射靶材，其特征在于，所述钽溅射靶材的平均晶粒直径大于等于20mm，按质量百分比计，纯度大于等于99.995%。
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