[发明专利]离子检测器在审
| 申请号： | 201910129347.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110189976A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 小林浩之;远藤刚志;守屋裕树;望月俊成 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J43/02 | 分类号： | H01J43/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;尹明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子检测器，其能够抑制多模式的离子检测器中的电子倍增机构的时效老化。该离子检测器具备：倍增极单元；包括具有电子倍增功能的半导体检测器的第1电子检测部；包括电极的第2电子检测部；和栅极部。第1电子检测部和第2电子检测部能够以各自不同的倍增率进行离子检测。栅极部中，作为栅极电极至少包括最后级倍增极，通过调节该栅极电极的设定电位来控制向第1电子检测部去的二次电子的通过和切断的切换。 | ||
| 搜索关键词： | 电子检测部 离子检测器 栅极电极 倍增极 倍增 电位 半导体检测器 倍增机构 二次电子 离子检测 多模式 最后级 电极 老化 | ||
【主权项】：
1.一种离子检测器，其特征在于，具备：离子入射部；转换倍增极，其配置在经由所述离子入射部取入的离子要到达的位置，响应所述离子的入射而释放二次电子；倍增极单元，其由沿规定的电子倍增方向配置的多级的倍增极构成，用于将从所述转换倍增极释放的二次电子级联倍增；第1电子检测部，其配置在从所述倍增极单元中所含的最后级倍增极释放的二次电子要到达的位置，包括具有电子倍增功能的半导体检测器；第2电子检测部，其包括用于捕获到达构成所述倍增极单元的倍增极中的所述最后级倍增极以外的任意中间倍增极的二次电子的一部分的电极；和栅极部，其作为栅极电极至少包括所述最后级倍增极，通过调节所述栅极电极的设定电位来控制从所述中间倍增极向所述半导体检测器去的二次电子的通过和切断的切换。
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