[发明专利]具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910129393.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109935686A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 童祎;高斐;渠开放;张缪城;郭宇锋;万相;连晓娟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 张霞 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可实现突触功能的仿生，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 底电极 阻变层 顶电极 介质层 制备 材料膜 双脉冲 衬底 导电性 外部电源 电连接 掩膜板 触接 溅射 开孔 突触 匹配 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件，设置在衬底上，其特征在于：所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。
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