[发明专利]晶圆级石墨烯薄膜的转移方法在审
| 申请号： | 201910129693.7 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109824032A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张苗;李攀林;刘运启;王天波;薛忠营;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯薄膜 衬底 晶圆级 上表面 缓冲保护层 有机物残留 石墨烯 生长 载流子迁移率 器件电子 有机物 散射 键合 去除 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合；去除所述生长衬底。
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