[发明专利]一种PVD镀膜用弧光电子源增强辉光放电表面活化工艺有效
申请号: | 201910129819.0 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109913799B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 李志荣;李迎春;刘江江 | 申请(专利权)人: | 广东汇成真空科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/35;C23C14/32 |
代理公司: | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人: | 张作林 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种PVD镀膜用弧光电子源增强辉光放电表面活化工艺:S1.抽真空;S2.供入氩气气压为0.1—1Pa,开启偏压产生氩輝光放电等离子体活化刻蚀;S3.弧光电子源增强清洗:S3‑1.维持氩气压0.1—1Pa,开启弧光电子源主电源,阴极电弧引燃起弧放电,电流20‑100A;开启弧光电子源辅助阳极电源,电流10—80A;调整偏压50—150V及占空比20—80%,清洗活化1‑2min;S3‑2.弧光电子源不变,偏压100V—200V、占空比20—80%,增强离子清洗活化1‑2min;S3‑3.保持弧光电子源不变,调节偏压至150—250V,占空比20—80%,增强离子清洗1‑2min;S3‑4.弧光电子源不变,偏压200‑300V,占空比20—80%,增强离子清洗1‑2min;S3‑5.弧光电子源不变,偏压250—350V,占空比20—80%,增强离子清洗10‑20min;S4.结束。本发明刻蚀活化时间短、能耗低、气体消耗少且能获得优良的洁净光滑表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 pvd 镀膜 弧光 电子 增强 辉光 放电 表面 活化 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种PVD镀膜用弧光电子源增强辉光放电表面活化工艺,其特征是包括以下步骤:S1.抽真空:真空室本底真空3.0×10‑3Pa‑5.0×10‑3Pa,加热至200‑600℃,保温30‑60分钟;S2.氩輝光放电等离子体活化刻蚀:炉内通入氩气至0.1‑‑1Pa,启动脉冲偏压电源,在炉内产生輝光放电等离子体对工件表面进行活化刻蚀;S3.弧光电子源增强清洗,包括以下子步骤:S3‑1.维持氩气气压为0.1—1Pa,开启弧光电子源,开启弧光电子源主电源,让阴极电弧引燃起弧,实现弧光放电,电弧电流调至20‑100A;开启弧光电子源辅助阳极电源,调节至电流10—80A;调节连接工件的脉冲偏压电源的偏压至50—150V,占空比20—80%,用弧光电子束增强氩辉光放电等离子体清洗活化工件1‑2min;S3‑2.保持弧光电子源参数不变,调节脉冲偏压至100V—200V,占空比20—80%,增强离子清洗活化1‑2min;S3‑3.保持弧光电子源参数不变,调节偏压至150—250V,占空比20—80%,增强离子清洗1‑2min;S3‑4.保持弧光电子源参数不变,调节偏压至200‑300V,占空比20—80%,增强离子清洗1‑2min;S3‑5.保持弧光电子源参数不变,调节偏压至250—350V,占空比20—80%,增强离子清洗10‑20min;S4.结束表面活化:关闭弧光电子源,关闭气体,关闭脉冲偏压,结束表面活化过程,进入涂层阶段。
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