[发明专利]一种Co4S3与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法在审
申请号: | 201910130130.X | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109696463A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 黄妞;闫术芳;曹星明 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种双功能的Co4S3与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法,利用化学浴沉积方法制备碱式钴盐针状阵列原位电极,随后用多巴胺在上述碱式钴盐阵列表面生长聚多巴胺后于保护气氛下加入硫粉用CVD方法进行硫化反应,在这一反应过程中聚多巴胺转变为氮掺杂的碳材料,碱式钴盐在升华硫气氛下转变为Co4S3。本发明的技术方案得到的产品,由于具有多种高电催化活位点,包括碳材料中氮掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷,具有优异的电催化氧还原反应(ORR)性能;Co4S3具有较好的电催化氧析出反应(OER)性能;此外Co4S3与碳材料形成的异质结亦具有优异的电催化OER和OER性能。 | ||
搜索关键词: | 氮掺杂 电催化 碳材料 钴盐 聚多巴胺 阵列电极 碳复合 制备 化学浴沉积 氧还原反应 针状 活性位点 晶格缺陷 硫化反应 阵列表面 制备碱式 多巴胺 升华硫 双功能 氧析出 异质结 电极 高电 硫粉 位点 催化 生长 | ||
【主权项】:
1.一种Co4S3与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法,其特征在于,具体制备方法为:(1)将氯化钴与尿素溶于去离子水中,利用化学浴沉积方法在导电基底上生长碱式钴盐阵列;(2)将多巴胺在弱碱性缓冲液中聚合到上述生长有碱式钴盐阵列的基底上后于惰性气氛下加入升华硫,用CVD方法进行硫化反应形成Co4S3与氮掺杂碳复合阵列电极。
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