[发明专利]利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路有效
| 申请号： | 201910130173.8 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110176858B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | S·夏尔马;D·M·金策;J·张 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路。本发明揭示一种半桥式GaN电路。所述电路包含低侧功率开关、高侧功率开关以及高侧功率开关控制器，所述高侧功率开关控制器经配置以基于一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性。所述高侧功率开关控制器包含经配置以同时接收第一和第二信号的接收器输入复位电路，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关被接通，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关控制器接通所述高侧功率开关，其中所述第二信号对应于所述高侧功率开关控制器断开所述高侧功率开关，且其中所述接收器输入复位电路进一步经配置以响应于所述第一和第二信号而防止所述高侧功率开关变成不传导。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 基于 gan 半导体 装置 功率 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半桥式GaN电路，其包括：开关节点；低侧功率开关，其连接到所述开关节点，所述低侧功率开关经配置以根据一或多个输入信号选择性传导，其中当传导时所述低侧功率开关经配置以减少所述开关节点的电压；高侧功率开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号选择性传导，其中当传导时所述高侧功率开关经配置以增加所述开关节点的所述电压；以及高侧功率开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性，其中所述高侧功率开关控制器包括：接收器输入复位电路，其经配置以同时接收第一和第二信号，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关控制器接通所述高侧功率开关，其中所述第二信号对应于所述高侧功率开关控制器断开所述高侧功率开关，且其中所述接收器输入复位电路进一步经配置以响应于所述第一和第二信号而防止所述高侧功率开关变成传导。
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