[发明专利]一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法在审
| 申请号： | 201910131441.8 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109881254A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 费付聪;宋凤麒;步海军;曹路;张敏昊;张同庆 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B7/10;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法，第一步，通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步，将第一步合成的产物投入前驱液，进行第二次溶剂热合成；或再将第二步合成的产物投入前驱液，进行第三次溶剂热合成。通过生长次数的变化，有效对拓扑绝缘体纳米片尺寸进行控制。第一步生长使用预先配制的前驱液作为反应原料，其中含有产物所需的化学元素及适当的表面活性剂；第二步使用前驱液与第一步溶剂热合成的产物混合，作为第二步反应原料；后续步骤则重复使用前驱液与前一步的合成产物混合，作为反应原料进行溶剂热合成。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱液 溶剂热合成 纳米片 绝缘体 反应原料 拓扑 生长控制 溶剂热 化学元素 溶剂热法合成 表面活性剂 产物混合 合成产物 一步合成 生长 传统的 六角形 配制 合成 | ||
【主权项】：
1.一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法，其特征是，第一步，通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步，将第一步合成的产物投入前驱液，进行第二次溶剂热合成；或再将第二步合成的产物投入前驱液，进行第三次溶剂热合成。
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