[发明专利]生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法和系统在审
| 申请号： | 201910132074.3 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110412438A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·巴比趣;李旷敏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开一种生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法和系统。所述方法包括：在产品测试过程期间，在第一校准点测量测试产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差；在产品测试过程期间，在第二校准点测量测试产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差；从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数；基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。 | ||
| 搜索关键词： | 测试产品 晶体模型 频率误差 产品测试过程 晶体振荡器 测量晶体 校准点 振荡器 测量 频率误差估计 三阶多项式 参数确定 | ||
【主权项】：
1.一种生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法，包括：在产品测试过程期间，在第一校准点测量测试产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差；在产品测试过程期间，在第二校准点测量测试产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差；从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数；基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910132074.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池绝缘检测电路及电池绝缘检测方法
- 下一篇：一种探针台及半自动晶圆测试设备
