[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910132184.X | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109672087B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李伟;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括：一外延结构，该外延结构自下而上包含：N面电极、N型衬底、N型DBR、有源区、以及P型DBR；多个台面结构，由该外延结构表面向下刻蚀至N型DBR表面或内部一设定深度得到；其中，多个台面结构沿着出光孔径轴线呈环形密堆积分布，在多个台面结构之间存在绝缘介质膜实现各个台面结构之间的电气隔离，该绝缘介质膜的光学厚度为四分之一波长奇数倍；多个台面结构之间通过覆盖于绝缘介质膜之上的P面电极实现交相互连和电流注入。能够同时实现大口径范围内光功率密度均匀分布、输出模式稳定、和高质量光束输出，且与现有垂直腔面发射激光器制备工艺兼容，制备工艺简单、重复性好及成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：一外延结构，该外延结构自下而上包含：N面电极(108)、N型衬底(107)、N型DBR(106)、有源区(105)、以及P型DBR(103)；多个台面结构(201)，由该外延结构表面向下刻蚀至N型DBR(106)表面或内部一设定深度得到；其中，多个台面结构(201)沿着出光孔径轴线呈环形密堆积分布，在多个台面结构之间存在绝缘介质膜(102)实现各个台面结构之间的电气隔离，该绝缘介质膜(102)的光学厚度为四分之一波长奇数倍；多个台面结构之间通过覆盖于绝缘介质膜(102)之上的P面电极(101)实现交相互连和电流注入。
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