[发明专利]高频放大电路以及半导体装置在审
| 申请号： | 201910132295.0 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110661497A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 濑下敏树;栗山保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 高频放大电路具备：源极接地的第1晶体管，将高频输入信号放大；栅极接地的第2晶体管，将由第1晶体管放大后的信号进一步放大而生成输出信号；第1电感器，连接在第1晶体管源极与第1基准电位节点之间；第2电感器，连接在第2晶体管漏极与第2基准电位之间；第1切换器，对是否在高频输入信号被输入的节点和连接第1电阻的输入信号路径上的节点之间的第3电感器上并联连接第1衰减器进行切换；第2切换器对是否在输入信号路径与第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换；第3切换器，从并联连接第2电感器的多个第2电阻中选择至少一个；及第4切换器，从并联连接在与第2晶体管漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器中选择至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 电感器 切换器 并联连接 电阻 高频输入信号 基准电位节点 输入信号路径 晶体管漏极 晶体管 放大 电容器 高频放大电路 输出信号路径 晶体管放大 晶体管源极 基准电位 输出信号 源极接地 栅极接地 衰减器 | ||
【主权项】：
1.一种高频放大电路，其中，具备：/n源极接地的第1晶体管，对高频输入信号进行放大；/n栅极接地的第2晶体管，对由所述第1晶体管放大后的信号进行进一步放大而生成输出信号；/n第1电感器，连接在所述第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间；/n第2电感器，连接在所述第2晶体管的漏极与第2基准电位之间；/n第1切换器，对是否在所述高频输入信号被输入的节点和从所述节点至所述第1晶体管的栅极的输入信号路径上连接第1衰减器进行切换；/n第2切换器，对是否在所述输入信号路径与所述第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换；/n第3切换器，从并联连接于所述第2电感器的多个第2电阻之中选择至少一个第2电阻；以及/n第4切换器，从并联连接在与所述第2晶体管的漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器之中选择至少一个第1电容器。/n
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