[发明专利]一种CrSi2

摘要

本发明公开了本发明的一种CrSi2薄膜电阻，通过CrSi2薄膜电阻结构设计和激光修调方法的优化，开发五级并联可调区和两个连续修调可调区的电阻设计结构，使修调后大部分打断的CrSi2薄膜电阻均不参与导电，将激光修调对CrSi2薄膜电阻稳定性的影响降到最小；本发明还公开了一种CrSi2薄膜电阻的激光修调方法，修调时根据电阻实际值选择打断或修调不同可调区；修调过程中当测试精度超过激光修调机本身的精度时，用外接测量表测试修调后的精度，克服了激光修调机精度分辨率对测量数据的制约，进一步提高精度，修调后CrSi2薄膜电阻温度系数达到±10ppm/℃，电阻精度达到±0.01％。

主权项

1.一种CrSi₂薄膜电阻，其特征在于，包括五级并联可调区和两个连续修调可调区，五级并联可调区包括依次并联的第一可调区(1)、第二可调区(2)、第三可调区(3)、第四可调区(4)和第五可调区(5)，两个连续修调可调区包括第六可调区(6)和第七可调区(7)；其中，第一可调区(1)、第二可调区(2)、第三可调区(3)、第四可调区(4)和第五可调区(5)分别包括待打断部分和导电部分，待打断部分为1方数，导电部分方数之比依次为16：8：4：2：2。