[发明专利]冷源结构MOS晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910133218.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109920842A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 甘维卓;张永奎;李俊杰;吴振华;郭鸿;殷华湘;朱慧珑;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种冷源结构MOS晶体管及其制作方法。该冷源结构MOS晶体管包括：衬底；冷源结构，包括沿远离衬底方向顺序层叠的第一源区、金属接触层和第二源区；漏区，设置于冷源结构远离衬底的一侧，漏区和第二源区的掺杂类型与第一源区的掺杂类型相反；纳米线结构，设置于冷源结构与漏区之间，且分别与冷源结构和漏区连接；栅极结构，至少部分栅极结构环绕纳米线结构设置。上述冷源结构为N++掺杂半导体+金属+P++掺杂半导体的三明治结构，或P++掺杂半导体+金属+N++掺杂半导体的三明治结构，使冷源结构MOS晶体管能够具有较高的开关比(Ion/Ioff)和亚阈值摆幅(SS)，开关比能够达到108。 | ||
| 搜索关键词： | 冷源 掺杂半导体 漏区 源区 纳米线结构 三明治结构 掺杂类型 栅极结构 开关比 衬底 金属 金属接触层 亚阈值摆幅 衬底方向 制作 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种冷源结构MOS晶体管，其特征在于，包括：衬底(10)；冷源结构(20)，包括沿远离所述衬底(10)方向顺序层叠的第一源区(210)、金属接触层(220)和第二源区(230)；漏区(40)，设置于所述冷源结构(20)远离所述衬底(10)的一侧，所述漏区(40)和所述第二源区(230)的掺杂类型与所述第一源区(210)的掺杂类型相反；纳米线结构(30)，设置于所述冷源结构(20)与所述漏区(40)之间，且分别与所述冷源结构(20)和所述漏区(40)连接；栅极结构(80)，至少部分所述栅极结构(80)环绕所述纳米线结构(30)设置。
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