[发明专利]一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法有效
| 申请号： | 201910133439.4 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109947588B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 魏德宝;刘娜;乔立岩;陈肖钰;彭喜元 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06K9/62 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法，根据NAND Flash芯片中数据驻留时间和P/E周期数对位错误率影响较大的特性，以及支持向量回归小样本、高准确度的特性，对芯片进行人为磨损实验，获得数据，通过已有数据，建立位错误率与数据驻留时间及P/E周期数之间的三维模型，从而对芯片的位错误率进行预测，以此来指导纠错算法的适配，提高数据的存储可靠性，相较于传统的利用神经网络法进行预测，本发明的基于支持向量回归法的位错误率预测方法在精确度相同的情况下，效率提高了五倍多。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 支持 向量 回归 nand flash 错误率 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法，其特征在于，包括：利用支持向量回归法根据P/E周期数和驻留时间预测芯片的位错误率，具体步骤如下：步骤1：建立芯片位错误率模型，选取与待预测芯片相同型号的测试芯片进行磨损试验，设定所述P/E周期数和所述驻留时间，获得位错误率数据，建立所述位错误率与所述P/E周期数和所述驻留时间之间的三维模型；步骤2：进行待预测芯片位错误率的预测，选取所述待预测芯片内要预测的物理块，读取所述物理块的所述P/E周期数和所述驻留时间，代入所述三维模型评估出所述位错误率。
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