[发明专利]微机械超声换能器与制造和设计微机械超声换能器的方法有效
申请号: | 201910133708.7 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN110180770B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | F·普罗科皮奥;F·夸利亚 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及微机械超声换能器与制造和设计微机械超声换能器的方法。一种用于在传播介质中发射超声声波的设备,包括:封装,该封装包括基部衬底和封盖,该封盖耦合至基部衬底并且与基部衬底一起限定封装中的腔室;半导体裸片,在腔室中耦合至基部衬底、包括半导体本体;以及微机械超声换能器(MUT),微机械超声换能器至少部分地集成在半导体本体中并且包括半导体本体中的空腔、悬置在空腔之上的膜、以及操作地耦合至膜的致动器,其能够被操作以用于生成膜的偏转。膜以如下方式被设计:其共振频率与在MUT的操作期间在封装的上述腔室中产生的声共振频率匹配。 | ||
搜索关键词: | 微机 超声 换能器 制造 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在传播介质中发射超声声波的设备,包括:封装,所述封装包括基部衬底和封盖,所述封盖耦合至所述基部衬底并且与所述基部衬底一起限定所述封装中的腔室;半导体裸片,所述半导体裸片在所述腔室中耦合至所述基部衬底并且包括半导体本体;以及微机械超声换能器(MUT),所述微机械超声换能器(MUT)至少部分地集成在所述半导体本体中并且包括在所述半导体本体中的空腔、悬置在所述空腔之上的膜、以及操作地耦合至所述膜并且能够操作以用于生成所述膜的偏转的致动器,其中所述膜被配置为具有共振频率,所述共振频率与所述MUT的操作期间在所述封装的所述腔室中产生的声共振频率匹配。
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