[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910134224.4 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111613582B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的伪鳍部；在伪鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁；在伪鳍部露出的隔离层上形成鳍部；形成鳍部后，去除伪鳍部；去除伪鳍部后，在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。后续形成横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶面和部分侧壁的栅极结构后，栅极结构能够直接对被其覆盖的部分鳍部进行控制，而位于隔离结构中的部分鳍部没有被栅极结构覆盖，不易被栅极结构直接控制，因为本发明实施例鳍部形成在隔离层上，隔离层将鳍部与衬底电隔离，使得位于隔离结构中的鳍部不易发生漏电，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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