[发明专利]电阻式存储器元件累进电阻特性的控制方法有效
| 申请号： | 201910135026.X | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111564168B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋光浩;林榆瑄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电阻式存储器累进电阻特性的控制方法，包括：对一电阻式存储器元件施加一第一写入脉冲集合，以获取一参考累进电阻分布；根据参考累进电阻分布对电阻式存储器元件施加第二写入脉冲集合，使电阻式存储器元件具有一预设累进电阻分布。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 元件 累进 特性 控制 方法 | ||
【主权项】：
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