[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置

摘要

本发明提供等离子处理方法以及等离子处理装置。能提升被处理基体即晶片的处理的效率，提高处理的吞吐量。等离子处理装置具备：真空容器；在真空容器的内部载置样品的样品台；将真空容器的内部排气的排气部；对真空容器的内部供给处理气体的气体供给部；对真空容器的内部施加高频电力的高频电力施加部；从真空容器的外部对载置于样品台的样品照射红外光的照射部；以及对排气部、气体供给部、高频电力施加部和照射部进行控制的控制部，在该等离子处理装置中，还具备测量样品台的载置样品的面的温度的温度测量部，控制部在通过照射部对载置于样品台的样品照射红外光时，基于由温度测量部测量到的温度来控制从照射部对样品照射的红外光的强度。

主权项

1.一种等离子处理装置，具备：真空容器；在所述真空容器的内部载置样品的样品台；将所述真空容器的内部排气的排气部；对所述真空容器的内部供给处理气体的气体供给部；对所述真空容器的内部施加高频电力的高频电力施加部；从所述真空容器的外部对载置于所述样品台的所述样品照射红外光的照射部；以及对所述排气部、所述气体供给部、所述高频电力施加部、和所述照射部进行控制的控制部，所述等离子处理装置的特征在于，还具备：测量所述样品台的载置所述样品的面的温度的温度测量部，所述控制部在通过所述照射部对载置于所述样品台的所述样品照射红外光时，基于由所述温度测量部测量到的温度来控制从所述照射部对所述样品照射的所述红外光的强度。