[发明专利]一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910135744.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109932346A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王国东;曹国华;朱红伟;王康佳;杨莹丽 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 454000 河南省焦作*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法。制作方法包括：制备表面量子点湿度传感层，包括：在GaAs衬底上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、InGaAs表面量子点层；对表面量子点湿度传感层进行刻蚀，在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，形成沉积钝化层；在钝化层上进行光刻，腐蚀两个引线孔，在两个引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni；在InGaAs表面量子点层的露出的上表面一端，制备OLED光源层。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点层 量子点 上表面 湿度传感器 传感层 引线孔 制备 掩埋 制作 沉积钝化层 钝化层 衬底 光刻 刻蚀 沉积 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器的制作方法，其特征在于，包括：S1：制备表面量子点湿度传感层，所述表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、InGaAs表面量子点层(04)；N为大于或者等于1的正整数；S2：采用干法刻蚀技术，对所述表面量子点湿度传感层进行刻蚀，刻蚀深度达到所述n型GaAs缓冲层(02)，且在所述n型GaAs缓冲层(02)上形成由所述InGaAs掩埋量子点层(03)组成的第一台阶，以及在所述第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层(04)组成的第二台阶；S3：在所述第一台阶的两侧及露出的上表面和所述第二台阶的上表面及两侧，形成钝化层(05)；S4：在所述钝化层(05)上进行光刻，腐蚀出两个引线孔，并在两个所述引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni，形成传感上电极(06)和传感下电极(07)；S5：在所述InGaAs表面量子点层(04)的露出的上表面一端，制备OLED光源层；S6：进行管芯分割，完成所述集成OLED光源的表面量子点湿度传感器的制作。
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