[发明专利]一种3D石墨烯上生长Ni-Co-Mn纳米针的方法有效

专利信息
申请号: 201910136204.0 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN109786136B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 刘丹;燕绍九 申请(专利权)人: 天津艾克凯胜石墨烯科技有限公司
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 天津市新天方专利代理有限责任公司 12104 代理人: 孔珍
地址: 300300 天津市东丽*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种3D石墨烯上生长Ni‑Co‑Mn纳米针的方法,包括以下步骤:对泡沫镍进行预处理;生长有3D石墨烯的泡沫镍样品;进行反应生成Ni‑Co‑Mn纳米针;在管式炉中在N2保护下进行退火,然后随炉冷却得到在3D石墨烯上生长的Ni‑Co‑Mn纳米针。本发明制备出的复合材料为有序纳米阵列结构电极,通过具有高效的导电性、离子扩散通道和稳定性的石墨烯网络与Ni‑Co‑Mn三元金属组装在一起,提高了电子传输速率,同时为离子嵌入、脱出时造成材料体积的崩溃提供了缓冲作用,相比于传统工艺制备的电极具有明显的动力学优势,获得具备高比电容、高能量密度和长循环寿命的超级电容器电极材料,满足了实际使用需求。
搜索关键词: 一种 石墨 生长 ni co mn 纳米 方法
【主权项】:
1.一种3D石墨烯上生长Ni‑Co‑Mn纳米针的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对泡沫镍进行预处理,泡沫镍浸泡在丙酮溶液中超声10min去除表面的油污,然后在3M的盐酸溶液中浸泡10min去除表面的氧化层,分别在去离子水和乙醇溶液中超声10min,放入真空干燥箱中烘干备用;(2)把清洗干净的泡沫镍放入CVD炉中,抽真空,然后通H2:Ar=20:50sccm混合气体,加热CVD炉至设定温度,恒温保持30min,然后打开CH4气体,让其以20sccm的流速流入炉内同时调整H2的流速为10sccm,反应1.5‑3h,然后随炉冷却,取出生长有3D石墨烯的泡沫镍样品;(3)把1mmolNi(NO3)2·6H2O,1mmolCo(NO3)2·6H2O,1mmolMn(NO3)2·6H2O与40mmol的尿素溶液按体积比为1‑5:1‑3:1‑4:30混合在一起并搅拌30min,倒入50ml的反应釜中,然后把上述步骤(2)中生长有3D石墨烯的泡沫镍样品放入反应釜中进行反应生成Ni‑Co‑Mn纳米针,反应后进行冷却并用乙醇和去离子水离心,离心后在60℃真空干燥箱中保温5h,备用;(4)将上述步骤(3)中的备用样品放在管式炉中在N2保护下进行退火,然后随炉冷却得到在3D石墨烯上生长的Ni‑Co‑Mn纳米针。
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