[发明专利]基于阳极氧化铝模板的宽谱减反膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910136820.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109735886B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;李慧;吴昊;张恒 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;C23C26/00;C23F1/20;C23C14/06;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;G02B1/118 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于阳极氧化铝模板的宽谱减反膜及其制备方法，能够实现宽谱范围内高效率的减反。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.通过电化学氧化方式对经氧化铝片后得到的AAO模板进一步深度氧化扩孔，使AAO模板上形成多个聚集体单元，每个聚集体单元均为多孔结构，得到具有聚集体单元的AAO模板；步骤2.通过旋涂方式在具有聚集体单元的AAO模板上形成一层保护膜；步骤3.腐蚀去除背部的铝基底，得到自独立的AAO模板；步骤4.将自独立的AAO模板转移到衬底上，用溶剂去除保护膜，得到形成有多个团簇状聚集单元的AAO模板；步骤5.在具有团簇聚集单元的AAO模板上沉积纳米颗粒，得到宽谱减反膜。 | ||
| 搜索关键词： | 聚集体 宽谱 制备 阳极氧化铝模板 保护膜 去除 团簇 电化学氧化 多孔结构 纳米颗粒 深度氧化 氧化铝片 高效率 用溶剂 沉积 衬底 扩孔 铝基 旋涂 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种基于阳极氧化铝模板的宽谱减反膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1.通过电化学氧化方式对经氧化铝片后得到的AAO模板进一步深度氧化扩孔，使AAO模板上形成多个聚集体单元，每个聚集体单元均为多孔结构，得到具有聚集体单元的AAO模板；/n步骤2.通过旋涂方式在具有聚集体单元的AAO模板上形成一层保护膜；/n步骤3.腐蚀去除背部的铝基底，得到自独立的AAO模板；/n步骤4.将自独立的AAO模板转移到衬底上，用溶剂去除保护膜，得到空隙进一步扩大、形成有多个团簇状聚集单元的AAO模板；/n步骤5.在具有团簇聚集单元的AAO模板上沉积纳米颗粒，得到宽谱减反膜，/n其中，在步骤1中，多孔结构的孔深为300nm～100μm，相邻聚集单元之间形成的空隙的深度也为300nm～100μm。/n
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