[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910136912.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111524894B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构及其制造方法。在所述存储器结构中，第一介电层位于基底上；栅极堆叠结构位于第一介电层上；栅极堆叠结构包括字符线、抹除栅极与第二介电层；第二介电层位于字符线与抹除栅极之间；第三介电层位于栅极堆叠结构的表面上；浮置栅极位于栅极堆叠结构之间，且各自位于对应的栅极堆叠结构的侧壁上；浮置栅极的顶面低于抹除栅极的顶面；第四介电层覆盖第一介电层、第三介电层与浮置栅极；控制栅极位于浮置栅极之间的第四介电层上；掺杂区位于栅极堆叠结构的两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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