[发明专利]一种刻蚀TiO2纳米薄膜的方法

摘要

本发明涉及纳米结构的制造或处理技术领域，为一种刻蚀TiO₂纳米薄膜的方法。通过将TiO₂纳米薄膜表面吸附Cd²⁺，经过450~600℃高温处理，得CdTiO₃/TiO₂纳米薄膜；将CdTiO₃/TiO₂纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得CdS/TiO₂纳米薄膜；将CdS/TiO₂纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后的TiO₂纳米薄膜。由此，通过本发明方法，使用针对TiO₂纳米薄膜的表面刻蚀技术，可以增加TiO₂纳米薄膜的比表面积，能够显著提高TiO₂纳米薄膜的光电催化性能。解决了针对TiO₂纳米薄膜比表面积增大的问题。与现有技术相比，本发明的方法具有简单易行、操作方便、成本低廉的特点。

主权项

1.一种刻蚀TiO₂纳米薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一：将TiO₂纳米薄膜表面吸附Cd²⁺，经过450~600℃高温处理，得CdTiO₃/TiO₂纳米薄膜；步骤二：将所述CdTiO₃/TiO₂纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得CdS/TiO₂纳米薄膜；步骤三：将所述CdS/TiO₂纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后的TiO₂纳米薄膜。