[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910137418.X | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110349954A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;金辰昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘润蓓;张晓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；层间介电层，位于基底上，并具有第一开口和第二开口；第一栅极图案，位于第一开口中，并包括堆叠的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案；第二栅极图案，位于第二开口中。第二栅极图案包括第二逸出功图案和第二导电阻挡图案，第二逸出功图案包括与第一逸出功图案的材料相同的材料，第二导电阻挡图案位于第二逸出功图案上并填充第二开口。第二导电阻挡图案包括与导电图案的材料不同且与第一阻挡图案的材料不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡图案 逸出功 开口 导电 图案 半导体装置 栅极图案 导电图案 基底 层间介电层 堆叠 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；层间介电层，位于基底上，并包括位于层间介电层中的第一开口和第二开口；第一栅极图案，位于第一开口中，并包括堆叠在第一开口中的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案；以及第二栅极图案，位于第二开口中，其中，第二栅极图案包括：第二逸出功图案，其中，第二逸出功图案与第一逸出功图案包括相同的材料；以及第二导电阻挡图案，位于第二逸出功图案上并填充第二开口，其中，第二导电阻挡图案包括与导电图案的材料不同且与第一阻挡图案的材料不同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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