[发明专利]基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器有效

专利信息
申请号: 201910137908.X 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN109904571B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 郭瑜;汪洋;张景辉;余超;毛晓炜 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203;H01P1/208
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 郭磊
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器。本发明一种基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器,包括:从上到下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和第四介质层;第一金属化通孔阵列贯穿第一介质层并且和第一金属层以及第二金属层共同构成第一谐振腔;第二金属化通孔阵列贯穿第二介质层,并且与第二金属层、第三金属层共同构成第二谐振腔;第三金属化通孔阵列贯穿第三介质层,并且与第三金属层、第四金属层共同构成第三谐振腔。有益效果:将基片集成波导谐振腔垂直放置,在保证保证基片集成波导性能不变的前提下,可以有效的减小电路面积和封装的面积。
搜索关键词: 基于 电磁 混合 耦合 集成 波导 滤波器
【主权项】:
1.一种基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器,其特征在于,包括:从上到下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和第四介质层;第一金属化通孔阵列贯穿第一介质层并且和第一金属层以及第二金属层共同构成第一谐振腔;第二金属化通孔阵列贯穿第二介质层,并且与第二金属层、第三金属层共同构成第二谐振腔;第三金属化通孔阵列贯穿第三介质层,并且与第三金属层、第四金属层共同构成第三谐振腔。
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