[发明专利]电磁屏蔽系统的制作方法、电磁屏蔽系统及芯片检测设备有效
申请号: | 201910137921.5 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN109952011B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 桂林;刘冰心 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B01L3/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及微流控设备技术领域,尤其涉及一种电磁屏蔽系统的制作方法、电磁屏蔽系统及芯片检测设备。电磁屏蔽系统包括第一屏蔽层和第二屏蔽层,第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设有用于封装芯片的芯片层,第一屏蔽层和第二屏蔽层内分别设有屏蔽流道,两组屏蔽流道之间设有穿透芯片层的导通管路;屏蔽流道和导通管路内均充有液态金属流体。该电磁屏蔽系统能够将芯片的上下表面封装,并利用液态金属流体产生的电磁屏蔽效应对芯片实现全面屏蔽,能够解决现有技术中电学检测过程中因测量信号受到干扰而导致测量不准的问题,能简化微流控芯片电磁屏蔽的制作工艺,提升微流控芯片电学检测结果的可靠性,并具有加工简单,易于集成的优点。 | ||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 系统 制作方法 芯片 检测 设备 | ||
【主权项】:
1.一种电磁屏蔽系统,其特征在于,包括第一屏蔽层和第二屏蔽层,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设有用于封装芯片的芯片层,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层内分别设有屏蔽流道,两组所述屏蔽流道之间设有穿透所述芯片层的导通管路;所述屏蔽流道和导通管路内均充有液态金属流体。
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