[发明专利]双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构在审
| 申请号： | 201910138049.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109962098A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;罗家俊;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在深N型掺杂区内设置有第一N型掺杂区、第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在第二P型掺杂区内设置有第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区；在第三P型掺杂区内设置有第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；在第一N型掺杂区和第二N型掺杂区的上方均设置有浅槽隔离区；第一引出电极的一端分别与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区连接，第二引出电极的一端分别与第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区连接，第三引出电极的一端分别与第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 引出电极 静电放电保护结构 双向可控硅 浅槽隔离区 | ||
【主权项】：
1.一种双向可控硅静电放电保护结构，其特征在于，包括P衬底、深N型掺杂区、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区、第三P型掺杂区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区、第三P型重掺杂区、第一引出电极、第二引出电极、第三引出电极和浅槽隔离区；所述深N型掺杂区设置在所述P衬底内；所述第一P型掺杂区和所述第三P型掺杂区分别设置于所述深N型掺杂区的两侧；在所述深N型掺杂区内从左到右依次设置有所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区和所述第二N型掺杂区；在所述第一P型掺杂区内从左到右依次设置有所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区；在所述第二P型掺杂区内从左到右依次设置有所述第二N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区；在所述第三P型掺杂区内从左到右依次设置有所述第四N型重掺杂区和所述第三P型重掺杂区；在所述第一N型掺杂区和所述第二N型掺杂区的上方均设置有所述浅槽隔离区；所述第一引出电极的一端分别与所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区连接，所述第二引出电极的一端分别与所述第二N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区连接，所述第三引出电极的一端分别与所述第四N型重掺杂区和所述第三P型重掺杂区连接；其中，从所述第二引出电极到所述第一引出电极之间由所述第二P型重掺杂区、所述第二P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第一P型掺杂区1和所述第一N型重掺杂区形成正向电流；从所述第一引出电极到所述第二引出电极之间由所述第一P型重掺杂区、所述第一P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区和所述第二P型重掺杂区形成反向电流；从所述第二引出电极到所述第三引出电极之间由所述第二P型重掺杂区、所述第二P型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第三P型掺杂区和所述第四N型重掺杂区形成正向电流；从所述第三引出电极到所述第二引出电极之间由所述第三P型重掺杂区、所述第三P型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第二P型掺杂区和所述第三N型重掺杂区形成反向电流，从而形成双向ESD；其中，通过调节所述浅槽隔离区的宽度对所述双向可控硅静电放电保护结构的维持电压进行控制。
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