[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910138146.5 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613583B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;苏博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干相互分立的鳍部；形成横跨若干相互分立鳍部的初始栅极结构，且所述初始栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和侧壁表面，所述初始栅极结构包括初始第一区域以及位于初始第一区域上的初始第二区域，所述初始第二区域底部高于鳍部顶部表面，且在鳍部延伸方向上所述初始第一区域的尺寸大于初始第二区域的尺寸；对所述初始栅极结构的侧壁进行第一刻蚀工艺以形成栅极结构，所述栅极结构包括由初始第一区域刻蚀形成的第一区域、以及由初始第二区域刻蚀形成的第二区域，且在鳍部延伸方向上所述第一区域的尺寸小于第二区域的尺寸。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
