[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910138418.1 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN111613572A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L43/12
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201815 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法,提供在两层Cu金属连线之间,其包括以下步骤:在存储单元阵列区域,采用在金属连线Mx之上,依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极、顶电极接触和位线BL,底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极和顶电极接触依次对齐;在逻辑外围电路区域,则采用位线通孔和底电极通孔直接相连接的方式实现,位线通孔和底电极通孔对齐;最后,在存储单元阵列区域的顶电极接触和逻辑外围电路区域的位线通孔之上制作一层Cu位线BL连线以实现磁性随机存储器逻辑区域和存储区域之间的连接。
搜索关键词: 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 及其 外围 电路 制备 方法
【主权项】:
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