[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法在审
申请号: | 201910138418.1 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN111613572A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L43/12 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201815 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法,提供在两层Cu金属连线之间,其包括以下步骤:在存储单元阵列区域,采用在金属连线Mx之上,依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极、顶电极接触和位线BL,底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极和顶电极接触依次对齐;在逻辑外围电路区域,则采用位线通孔和底电极通孔直接相连接的方式实现,位线通孔和底电极通孔对齐;最后,在存储单元阵列区域的顶电极接触和逻辑外围电路区域的位线通孔之上制作一层Cu位线BL连线以实现磁性随机存储器逻辑区域和存储区域之间的连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 及其 外围 电路 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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